RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
62
94
Autour de 34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.4
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
94
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
1390
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Mushkin 992031 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link