RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
33
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2800
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link