RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston KY7N41-MIE 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
33
Autour de 12% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KY7N41-MIE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Corsair CMD16GX3M2A2133C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link