RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
83
Autour de 71% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
83
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1663
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link