RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2832
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link