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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Comparez
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Note globale
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,475.5
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
56
Autour de -124% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8800
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,878.3
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,475.5
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8800
21300
Other
Description
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
598
2704
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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