RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Comparez
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Note globale
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
41
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2039
3692
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link