RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Comparez
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Note globale
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Note globale
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
33
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.8
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
26
Vitesse de lecture, GB/s
17.9
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
14.4
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3271
4012
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link