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Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparez
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
50
Autour de -127% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
22
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2159
3075
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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