RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Comparez
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Note globale
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
35
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.7
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2726
3425
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link