RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Comparez
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Note globale
Kingston KP223C-ELD 2GB
Note globale
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KP223C-ELD 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
52
Autour de 48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
52
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2137
2169
Kingston KP223C-ELD 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Super Talent F24UB16GV 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link