RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,410.6
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
61
Autour de -165% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,230.0
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,410.6
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
754
3498
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB Comparaison des RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link