RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.9
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2432
3372
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaison des RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link