RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
33
Autour de -14% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
29
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
3146
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link