RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
40
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
2907
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link