RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2821
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link