RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Comparez
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17500
17000
Autour de 1.03% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
52
Autour de -206% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
17
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17500
17000
Other
Description
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2319
3550
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link