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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Comparez
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de -30% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
27
Vitesse de lecture, GB/s
14.8
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.2
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2336
2173
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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