Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Note globale
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Différences

  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.2 left arrow 10.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 35
    Autour de -30% latence réduite

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    35 left arrow 27
  • Vitesse de lecture, GB/s
    14.8 left arrow 14.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    11.2 left arrow 10.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Vitesse d'horloge
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2336 left arrow 2173
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons