RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
71
Autour de 28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
71
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
1866
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link