RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
51
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3221
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link