Comparaison de la RAM Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Note globale

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.6 14.3

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.8 11.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 17000

Autour de 1.51% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 51

Autour de -82% latence réduite

Liste complète des spécifications techniques

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2687 2481

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns