RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
51
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
33
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3671
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link