RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
92
Autour de -163% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
35
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3371
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link