RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
92
Autour de -318% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3392
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link