RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
92
Autour de -171% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2900
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link