RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
70
Autour de 49% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
70
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
2519
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link