RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
54
Autour de -69% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2973
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link