RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
64
89
Autour de 28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.1
2,256.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
89
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
1571
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link