RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
64
Autour de -88% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
2,256.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
2565
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link