RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
42
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.4
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.1
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
21
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
22.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
19.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
4251
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link