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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
71
Autour de -145% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3614
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
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