RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
71
93
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
93
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
1670
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5469-042.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link