RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2583
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-8GZH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link