PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Note globale
star star star star star
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Note globale
star star star star star
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    63 left arrow 69
    Autour de 9% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    5.0 left arrow 4.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    6.3 left arrow 6.1
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    63 left arrow 69
  • Vitesse de lecture, GB/s
    6.1 left arrow 6.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.0 left arrow 4.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1274 left arrow 1148
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons