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PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
56
Autour de 52% latence réduite
Raisons de considérer
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
56
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2235
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
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