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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
43
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
3419
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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