RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Comparez
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Note globale
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
66
73
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.1
4.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
73
Vitesse de lecture, GB/s
6.5
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
4.8
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1272
1609
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link