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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
75
Autour de 67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
75
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
1457
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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