RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
59
Autour de -51% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2878
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link