RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
69
Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2496
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link