RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
69
Autour de -156% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3292
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link