RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
58
Autour de -71% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2245
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link