RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
46
Autour de -24% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
37
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2946
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link