RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2341
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link