RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
66
77
Autour de -17% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
66
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2038
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link