RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
77
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
47
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2362
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link