RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
77
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
47
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2362
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link