RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
77
Autour de -103% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.3
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.6
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2107
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link