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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
77
Autour de -221% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2761
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
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Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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