RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
76
77
Autour de -1% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
76
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
1260
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link