RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
77
Autour de -114% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2696
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link